Создана самая быстрая в мире микросхема

04.07.2003 | 15:22
Компания Infineon сообщила о новом достижении в сфере производства высокочастотных интегральных схем. С помощью новой биполярной кремний-германиевой технологии компании удалось создать микросхемы, скорость работы которых на 10-30% превышает быстродействие аналогичных разработок конкурирующих компаний.

Новая технология будет использоваться Infineon в высокочастотных полупроводниковых устройствах, в первую очередь, для систем связи. Перечень устройств на базе новой технологии будет включать самостоятельные полупроводниковые диоды и транзисторы, системы проводной связи с пропускной способностью до 40 Гбит/с, широкодиапазонные системы радиосвязи на частотах до 60 ГГц и др.

Для демонстрации возможностей новой технологии инженеры Infineon выпустили несколько высокочастотных микросхем на ее основе. Во-первых, это микросхема динамического делителя частоты, работающая на 110 ГГц. По заявлениям компании, на сегодняшний день это самая высокочастотная в мире микросхема. Далее следуют статический делитель частоты, работающий на 86 ГГц и управляемый осциллятор напряжения с частотой 95 ГГц. Помимо этих чипов, Infineon продемонстрировала и прототип законченного решения - автомобильную радарную систему, работающую на частоте 77 ГГц. В компании подчеркивают, что достигнутые показатели - не предел для новой технологии. С ее помощью можно создавать чипы с частотами до 200 ГГц.
безопасность, информация, защита информации, статьи, библиотека, аудит, администрирование, реагирование на инциденты, криптография, уязвимость
По материалам http://www.compulenta.ru
Лента новостей: FacebookLiveJournalЯндекс

Комментарии (0)
Оставьте комментарий:CaptchaОбновить проверочный код